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STN3NF06L 发布时间 时间:2025/6/17 19:28:57 查看 阅读:23

STN3NF06L是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,广泛用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用中。
  这款MOSFET具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,同时具备良好的热性能和电气性能,适合需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:85A
  导通电阻:9.5mΩ
  栅极电荷:10nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

STN3NF06L拥有非常低的导通电阻,能够有效降低功耗并提高效率。此外,其大电流承载能力使其非常适合于高功率应用场景。
  该器件还具有优异的雪崩能力,能够在过载或短路情况下提供额外保护。其快速开关特性进一步提升了其在高频开关应用中的表现。
  由于采用了先进的制造工艺,STN3NF06L在散热性能方面表现出色,有助于提高系统的整体可靠性。
  此外,其TO-220封装形式便于安装和散热设计,简化了PCB布局。

应用

STN3NF06L主要应用于直流-直流转换器、开关电源、逆变器、电机驱动、电池管理以及工业自动化设备等领域。
  在消费类电子产品中,它也可用于笔记本电脑适配器、显示器电源以及家用电器的控制电路。
  其高电流处理能力和低导通电阻特性使其成为汽车电子系统中的理想选择,例如车载充电器、LED驱动器以及电动车窗控制系统等。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06L
  FDP5800

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STN3NF06L参数

  • 其它有关文件STN3NF06L View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds340pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-3177-6