FR9888SPGTR 时间：2025/5/19 11:52:35 阅读：8

FR9888SPGTR是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263-3L封装形式，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。其主要用途包括DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等应用领域。
　　这款MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下有效减少功耗，并且具备快速开关能力，适合高频工作环境。同时，它还拥有较高的雪崩击穿能量耐受能力，能够承受一定的过载条件，从而提高系统的可靠性。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：14A
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ
　　栅极电荷：27nC
　　总电容（Ciss）：2000pF
　　开关速度：快速开关
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

FR9888SPGTR的关键特性包括：
　　1. 超低导通电阻，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
　　2. 快速开关性能，适用于高频应用场合。
　　3. 较高的雪崩击穿能量耐受能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
　　4. 封装形式为TO-263-3L，便于安装和散热管理。
　　5. 宽泛的工作温度范围，使其可以在恶劣环境下稳定运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
　　这些特点使FR9888SPGTR成为工业控制、消费电子以及通信设备等领域中的理想选择。

应用

FR9888SPGTR可应用于以下场景：
　　1. DC-DC转换器中的功率开关。
　　2. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　3. 各类负载开关和电池保护电路。
　　4. 开关电源（SMPS）中的同步整流或主开关管。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 汽车电子系统中的大电流切换元件。
　　凭借其出色的电气性能和可靠性，FR9888SPGTR能够在多种复杂的应用环境中提供稳定的功率输出。