时间：2025/8/17 0:34:45
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FR603G 是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种功率开关和电源管理系统中。该器件具有较高的耐压和电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块以及负载开关等场景。FR603G采用了先进的沟槽技术，优化了导通电阻和开关损耗，以满足高效能和高可靠性需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：60V
最大漏极电流（ID）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.8mΩ（在VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
耗散功率（PD）：310W
漏源极击穿电压（BVDSS）：60V
栅极电荷（Qg）：典型值为90nC
FR603G 采用先进的沟槽式MOSFET技术，有效降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现出色，减少了热量的产生，提升了系统稳定性。该器件的高耐压能力（60V）使其适用于多种中高压电源转换应用。
此外，FR603G采用了TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适合自动化生产。该封装形式还提供了优异的散热性能，确保器件在高功率条件下依然能够稳定运行。
该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在高应力条件下的可靠性。同时，其宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃）使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。
FR603G 主要用于需要高效能、高可靠性的功率管理应用，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电动工具、电动车控制系统、工业自动化设备以及电池供电系统等。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效率电源转换的理想选择。
IRF6717, FDP6030, SiR178DP, IPB063N04NG
