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FR2G-R1-10001 发布时间 时间:2025/8/14 11:07:14 查看 阅读:26

FR2G-R1-10001 是一款由富士通(Fujitsu)推出的电子元器件芯片,属于其FRAM(铁电随机存取存储器)产品系列。FRAM 是一种非易失性存储器技术,结合了传统 RAM 的高速读写能力和闪存的非易失特性。这款芯片以其低功耗、高速写入和极高的读写耐久性著称,适用于需要频繁数据存储和快速响应的应用场景。

参数

类型:FRAM
  容量:1 Mbit
  组织方式:128K x 8
  工作电压:2.7V 至 5.5V
  最大工作频率:40 MHz
  接口类型:SPI
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

FR2G-R1-10001 的核心优势在于其 FRAM 技术,这使得芯片在没有外部电源的情况下仍能保留数据,同时具备几乎无限的写入耐久性(通常可达100万亿次)。与传统的EEPROM和闪存相比,FRAM 在写入速度上有了显著提升,且无需等待写周期完成,从而提高了整体系统性能。
  此外,该芯片的低功耗特性使其在待机模式下消耗极少的电流,非常适合电池供电设备和对功耗敏感的应用。其宽电压范围(2.7V 至 5.5V)也增强了其在多种电源条件下的适用性。SPI 接口提供了简单且高效的通信方式,使其易于集成到现有系统中。
  FR2G-R1-10001 还具备高可靠性,支持在恶劣环境条件下运行,例如工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)和高湿度环境。

应用

由于其独特的性能特点,FR2G-R1-10001 广泛应用于多个领域,包括工业自动化、智能电表、医疗设备、车载电子系统以及物联网(IoT)设备。例如,在智能电表中,该芯片可以用于存储实时数据和历史记录,确保即使在断电情况下数据也不会丢失;在医疗设备中,它可以用来存储关键的患者数据和设备校准信息;而在物联网设备中,其低功耗和高速写入能力使其成为理想的选择,尤其是在需要频繁数据采集和存储的场景中。

替代型号

FM25V01-G, MB85RS1MT

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