APM4435KC-TR 时间：2025/6/11 17:06:49 阅读：7

APM4435KC-TR 是一款基于 N 沣道沟工艺的 P 沟道功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。该器件具有出色的开关特性和低功耗特性，适用于电源管理、负载开关以及 DC/DC 转换等应用领域。
　　APM4435KC-TR 的封装形式为 SOT-23 封装，这使得其非常适用于空间受限的设计场景。同时，该器件在高频开关条件下依然能保持优异的性能表现。

参数

型号：APM4435KC-TR
　　类型：P 沟道 MOSFET
　　Vgs(th)（栅极阈值电压）：-0.8V 至 -1.6V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：75mΩ
　　Vdss（漏源极击穿电压）：-30V
　　Id（连续漏极电流）：-1.9A
　　Pd（最大功耗）：420mW
　　f（工作频率范围）：支持高达 5MHz
　　封装形式：SOT-23

特性

APM4435KC-TR 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高速开关能力，支持高频工作环境，适合现代电子设备对小型化和高效化的严格要求。
　　3. 支持宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C)，能够在恶劣环境下稳定运行。
　　4. 小巧的 SOT-23 封装设计，便于在紧凑型电路板上进行布局。
　　5. 内部集成 ESD 保护机制，增强了芯片在实际使用中的可靠性。

应用

APM4435KC-TR 主要用于以下应用场景：
　　1. 开关电源和线性稳压器的输出级控制。
　　2. 移动设备和便携式电子产品中的负载开关功能实现。
　　3. 各种 DC/DC 转换器电路设计，包括降压和升压转换。
　　4. LED 驱动电路中的开关元件。
　　5. 电池供电设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑等。
　　6. 电机驱动和继电器控制中的开关组件。