LBC807-16LT1G 是一款高性能的射频 (RF) 和微波用 GaAs MMIC 功率放大器芯片,专为高线性度和高效率的应用设计。该芯片采用先进的 GaAs 工艺制造,具有出色的增益、输出功率和线性度性能。它适用于无线通信系统中的基站、点对点无线电和其他射频应用。
这款放大器集成了偏置电路,能够简化设计并提高可靠性。此外,其小型化封装使得它在空间受限的应用中非常实用。
型号:LBC807-16LT1G
工作频率范围:3.4 GHz 至 3.6 GHz
增益:25 dB
饱和输出功率:29 dBm
电源电压:5 V
电流消耗:350 mA
53 dBc):24 dBm
输入回波损耗:15 dB
输出回波损耗:12 dB
封装形式:QFN 4x4 mm
LBC807-16LT1G 的主要特性包括:
1. 高增益:该放大器提供高达 25 dB 的增益,有助于显著提升信号强度。
2. 高效率:在输出功率达到 29 dBm 的同时保持较高的功率附加效率 (PAE),从而降低功耗。
3. 高线性度:优化的线性性能使其非常适合需要低 ACLR 的应用,例如 LTE 和其他宽带通信系统。
4. 内部匹配网络:芯片内部集成输入和输出匹配网络,减少外部元件需求。
5. 稳定性好:在宽温度范围内表现出优异的稳定性,适合户外及恶劣环境下的使用。
6. 小型化设计:采用紧凑型 QFN 封装,适合高密度组装应用。
这些特点共同确保了 LBC807-16LT1G 在射频和微波通信领域的卓越表现。
LBC807-16LT1G 主要应用于以下领域:
1. 无线通信基站:
- LTE 和 5G 基站的功率放大器模块。
- 微蜂窝和宏蜂窝设备中的射频前端。
2. 点对点无线电:
- 提供高增益和高效率以满足长距离通信的需求。
3. 卫星通信:
- 地面终端设备中的射频放大器组件。
4. 军事和航空航天:
- 雷达系统、数据链路和其他关键任务通信系统。
LBC807-16LT1G 的高线性度和高效率使其成为这些高性能应用的理想选择。
LBC807-15LT1G, LBC807-17LT1G