IR2113S是英飞凌(Infineon)公司生产的一款高压半桥栅极驱动芯片,广泛应用于功率电子设备中。它能够驱动N沟道MOSFET或IGBT,并且内置了自举电路,适用于各种需要高频开关的应用场景。该芯片通过高低侧驱动输出,支持高达600V的工作电压,具有欠压锁定保护功能和逻辑电平兼容输入。
工作电压:10V~20V
最高耐压:600V
驱动电流:±2A
传播延迟时间:85ns(典型值)
工作温度范围:-40℃~125℃
封装形式:SOIC-8
IR2113S的主要特性包括以下几点:
1. 内置自举二极管,简化了高侧驱动电源设计。
2. 支持高侧和低侧输出的独立控制,适合半桥拓扑结构。
3. 提供逻辑电平输入接口,可以直接与微控制器或其他逻辑器件连接。
4. 集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在异常情况下保护外部功率器件。
5. 具有较短的传播延迟时间,适合高频应用环境。
6. 采用SOIC-8小型封装,便于PCB布局和安装。
这些特性使IR2113S成为电机驱动、开关电源以及逆变器等应用的理想选择。
IR2113S主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),例如AC-DC转换器。
2. 电机驱动控制,如无刷直流电机(BLDC)驱动。
3. 逆变器电路,用于太阳能逆变器或UPS不间断电源。
4. 各类工业自动化设备中的功率级控制。
5. LED驱动器和其他需要高频功率切换的场合。
由于其高效稳定的性能,IR2113S在这些领域中表现优异,为工程师提供了可靠的解决方案。
IR2110, IR2111, IR2112