GM71VS16163CLT-6 是一款由Giantec Semiconductor(钜泉光电)制造的高性能、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用CMOS工艺制造,具备高速读写能力,广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子产品及网络设备等领域。该器件为异步SRAM,工作电压范围为2.3V至3.6V,支持宽温度范围工作,适用于各种严苛环境。
容量:256Kbit(16K x 16)
电压范围:2.3V - 3.6V
访问时间(tRC):6ns
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
引脚数:54
组织结构:x16数据总线
封装尺寸:8mm x 20mm
最大工作频率:约166MHz(基于访问时间计算)
封装类型:表面贴装(SMD/SMT)
GM71VS16163CLT-6是一款高性能异步SRAM,具备6ns的快速访问时间,适用于需要高速数据处理的应用场景。其CMOS工艺不仅确保了低功耗运行,还增强了抗干扰能力,提高了系统稳定性。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,使其兼容多种电源管理系统,适用于不同的嵌入式设计环境。此外,它支持宽温工作范围(-40°C至+85°C),适合在工业控制、车载系统和户外通信设备中使用。
采用54引脚TSOP封装,GM71VS16163CLT-6具有较小的封装体积,便于PCB布局与高密度集成,同时具备良好的散热性能。其x16的数据总线宽度支持16位并行数据传输,提高数据吞吐能力,适用于图像处理、缓冲存储、高速缓存等场景。
该SRAM无需刷新操作,简化了硬件设计,降低了系统复杂度。此外,其异步接口兼容多种主控芯片,适用于多种嵌入式平台的扩展存储需求。
GM71VS16163CLT-6广泛应用于需要高速、低功耗和宽温工作能力的嵌入式系统。典型应用包括工业自动化控制设备、通信基站、路由器和交换机、网络存储设备、测试测量仪器、医疗电子设备以及车载导航与信息娱乐系统等。
由于其高速读写性能和无需刷新的特性,该芯片也常用于图像处理系统中的帧缓存、实时数据采集系统中的缓冲存储器,以及作为高性能微处理器或FPGA的外部高速缓存。此外,该SRAM在智能电表、安防监控设备、工业机器人等领域也有广泛应用。
IS61LV16256AL-6TLI、CY7C1021GN3-10ZSXC、IDT71V16163SA-6B