时间：2025/9/2 4:00:19
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GM71VS16163CLT-6 是一款由Giantec Semiconductor（钜泉光电）制造的高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具备高速读写能力，广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子产品及网络设备等领域。该器件为异步SRAM，工作电压范围为2.3V至3.6V，支持宽温度范围工作，适用于各种严苛环境。
容量：256Kbit（16K x 16）
电压范围：2.3V - 3.6V
访问时间（tRC）：6ns
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54
组织结构：x16数据总线
封装尺寸：8mm x 20mm
最大工作频率：约166MHz（基于访问时间计算）
封装类型：表面贴装（SMD/SMT）
GM71VS16163CLT-6是一款高性能异步SRAM，具备6ns的快速访问时间，适用于需要高速数据处理的应用场景。其CMOS工艺不仅确保了低功耗运行，还增强了抗干扰能力，提高了系统稳定性。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其兼容多种电源管理系统，适用于不同的嵌入式设计环境。此外，它支持宽温工作范围（-40°C至+85°C），适合在工业控制、车载系统和户外通信设备中使用。
采用54引脚TSOP封装，GM71VS16163CLT-6具有较小的封装体积，便于PCB布局与高密度集成，同时具备良好的散热性能。其x16的数据总线宽度支持16位并行数据传输，提高数据吞吐能力，适用于图像处理、缓冲存储、高速缓存等场景。
该SRAM无需刷新操作，简化了硬件设计，降低了系统复杂度。此外，其异步接口兼容多种主控芯片，适用于多种嵌入式平台的扩展存储需求。
GM71VS16163CLT-6广泛应用于需要高速、低功耗和宽温工作能力的嵌入式系统。典型应用包括工业自动化控制设备、通信基站、路由器和交换机、网络存储设备、测试测量仪器、医疗电子设备以及车载导航与信息娱乐系统等。
由于其高速读写性能和无需刷新的特性，该芯片也常用于图像处理系统中的帧缓存、实时数据采集系统中的缓冲存储器，以及作为高性能微处理器或FPGA的外部高速缓存。此外，该SRAM在智能电表、安防监控设备、工业机器人等领域也有广泛应用。
IS61LV16256AL-6TLI、CY7C1021GN3-10ZSXC、IDT71V16163SA-6B
