时间：2025/5/23 17:17:45
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FQU3N50CTU 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他高效率功率转换电路中。该器件采用 TO-220 封装，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
该 MOSFET 的设计使其能够在高频条件下保持高效的性能，并且具备良好的热稳定性和可靠性，非常适合于需要高性能功率管理的应用场景。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：1.9Ω
栅极阈值电压：4V
总功耗：115W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
FQU3N50CTU 提供了出色的电气特性和机械稳定性。
1. 高击穿电压确保其在高压环境中的可靠运行。
2. 较低的导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关能力使其适用于高频应用。
4. 良好的热性能允许更高的功率密度。
5. TO-220 封装易于安装和散热设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅制造工艺。
该器件主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. 电机驱动控制中的功率开关。
3. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
5. 充电器、LED 照明驱动以及其他高效能电子设备。
FQU2N50C, IRF540N, STP40NF5
