时间：2025/6/24 1:53:32
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HMK107B7104KAHT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于电源管理领域。它具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升电路效率并降低功耗。
该芯片适用于需要高效能和高可靠性的工业及消费电子应用，例如适配器、充电器、LED驱动器以及直流-直流转换器等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：70V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻（典型值）：7mΩ
总功耗：16W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
HMK107B7104KAHT采用先进的半导体制造工艺，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够减少电能损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 出色的热稳定性，确保在高温条件下依然保持稳定性能。
4. 高耐压设计，防止因过压而损坏芯片。
5. 小型化封装，节省PCB空间，同时便于散热设计。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，满足国际法规要求。
这款芯片广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. LED驱动电路
3. 直流电机控制
4. 充电器和电池管理系统
5. 工业自动化设备中的电源模块
HMK107B7104KAHT凭借其卓越的性能，在上述应用场景中表现出优异的效率与可靠性。
HMK107B7104KAHT,
HMK107B7104KALP,
IRF740,
FQP18N06L
