SE110N 时间：2025/5/29 20:33:37 阅读：5

SE110N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种功率转换和开关应用。SE110N通常被用于电源管理、电机驱动、负载切换和其他需要高效功率控制的场景。

参数

型号：SE110N
　　类型：N沟道MOSFET
　　VDS（漏源极电压）：30V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：5.4mΩ
　　ID（连续漏极电流）：92A
　　VGS(th)（栅极阈值电压）：2.1V
　　Qg（总栅极电荷）：87nC
　　EAS（雪崩能量）：1.3J
　　封装形式：TO-247

特性

SE110N具有以下主要特性：
　　1. 低导通电阻（RDS(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 高电流处理能力（ID高达92A），适合大功率应用。
　　3. 快速开关速度，能够支持高频操作。
　　4. 支持低至2.1V的栅极驱动电压，便于与低压逻辑电路兼容。
　　5. 良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
　　6. 封装形式为TO-247，提供优良的散热性能。
　　这些特点使得SE110N非常适合应用于DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及其他需要高效功率管理的场合。

应用

SE110N广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）设计中的功率级开关。
　　2. 电机驱动电路中作为功率输出级。
　　3. 各类负载切换和保护电路。
　　4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）及电机控制器。
　　6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。