FQU2N80 时间：2025/5/30 15:35:59 阅读：10

FQU2N80是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高击穿电压的特性，适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动等场景。
　　FQU2N80以其优异的性能在功率电子领域得到了广泛应用，特别是在需要高效能和小体积解决方案的设计中。

参数

最大漏源电压：80V
　　连续漏极电流：2.6A
　　导通电阻：1.4Ω
　　栅极电荷：3nC
　　总功耗：1.3W
　　工作温度范围：-55℃ to 175℃

特性

FQU2N80的主要特性包括：
　　1. 高击穿电压：80V的额定电压使其能够承受较高的电源电压。
　　2. 低导通电阻：1.4Ω的典型值可以有效减少导通损耗，提高系统效率。
　　3. 小尺寸封装：TO-252封装节省了PCB空间，适合紧凑型设计。
　　4. 快速开关速度：低栅极电荷确保快速切换，降低开关损耗。
　　5. 宽工作温度范围：从-55℃到175℃的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
　　6. 无铅封装：符合RoHS标准，环保且易于焊接。

应用

FQU2N80广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：如适配器、充电器等设备中的功率开关。
　　2. 直流-直流转换器：用于降压或升压电路中的主开关。
　　3. 电机驱动：小型直流电机的驱动控制。
　　4. 负载开关：保护电路免受过载或短路影响。
　　5. 电池管理系统：用于电池充放电路径管理。
　　6. 固态继电器：作为电子开关替代传统机械继电器。