时间：2025/9/14 9:20:06
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PSMN021-100YL 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，适用于高效率的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优良的热性能，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和功率放大器等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：100 V
最大漏极电流 Id（连续）：16 A
最大栅源电压 Vgs：±20 V
导通电阻 Rds(on)：21 mΩ @ Vgs = 10 V
栅极电荷 Qg：22 nC
功率耗散（Ptot）：50 W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220AB / D2PAK
PSMN021-100YL 的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)）仅为 21 mΩ，在 10 V 栅极电压下能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件采用 Nexperia 的先进 Trench MOSFET 技术，提供更高的功率密度和优异的开关性能。其高耐压能力（100 V）使其适用于多种中高功率应用。此外，该 MOSFET具有良好的热稳定性，封装设计支持有效的散热管理，确保在高负载条件下也能保持稳定运行。该器件还具备较低的栅极电荷（Qg 为 22 nC），有助于降低开关损耗，提高开关频率下的性能表现。PSMN021-100YL 的封装形式包括 TO-220AB 和 D2PAK，适用于通孔和表面贴装工艺，提高了在不同电路板布局中的灵活性。其坚固的结构和优良的可靠性使其在恶劣环境中也能稳定工作。
此外，该 MOSFET 的栅源电压范围为 ±20 V，提供了更高的栅极控制灵活性，并具有较强的抗过压能力。内置的体二极管具备良好的反向恢复特性，适用于需要频繁开关的应用场合。综合来看，PSMN021-100YL 是一款性能优异、可靠性高的功率 MOSFET，适用于多种电源管理和功率转换应用。
PSMN021-100YL 主要应用于各类电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。其低导通电阻和高耐压特性使其非常适合用于服务器电源、通信设备电源、工业控制系统和汽车电子系统。在电动汽车和充电桩系统中，该器件也可用于功率控制模块。此外，该 MOSFET 还适用于高效率的功率放大器和电机控制电路，提供稳定的功率输出和良好的热管理能力。
SiHF16N100E, IPB16N10N3, FDPF16N100
