类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：16A（@Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（@Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-262 / TO-252（根据具体型号）

FQU16N20D具备低导通电阻特性，有助于降低功率损耗，提高系统效率。其200V的漏源击穿电压使其适用于多种中高压应用环境，例如开关电源和电机控制电路。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。FQU16N20D采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，能够有效降低结温，延长器件使用寿命。
　　在开关特性方面，FQU16N20D具有较低的输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度，降低开关损耗。其快速开关能力使得该器件非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在高能量瞬态环境中的可靠性。
　　从制造工艺来看，FQU16N20D采用了高纯度硅材料和先进的光刻工艺，确保了器件的高一致性和稳定性。其栅极氧化层具有优异的绝缘性能，能够有效防止因过电压或静电放电（ESD）引起的损坏。

FQU16N20D主要应用于各类中高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、LED照明驱动器、UPS不间断电源以及工业自动化控制系统。在这些应用中，FQU16N20D能够实现高效的能量转换和稳定的功率控制。此外，由于其具备较高的耐压能力和良好的热管理性能，FQU16N20D也常用于需要频繁开关操作的负载开关电路中，如电源管理模块和智能功率分配系统。
　　在汽车电子领域，FQU16N20D也可用于车载充电器、电动工具、车载逆变器等设备中，满足对高可靠性和高效率的要求。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，FQU16N20D同样可以作为关键的功率开关元件使用。

FQP16N20C, IRF16N20D, STP16N20D, FQA16N20C