时间：2025/9/14 8:13:55
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NX7002BKHH 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于低电压和中等功率应用。该器件采用先进的 Trench 工艺技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高频率开关性能，适合用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等应用场景。NX7002BKHH 采用 SOT363（SOT-23-6）封装，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大连续漏极电流（Id）：100mA（在Vds = 10V时）
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.5Ω（在Vgs = 4.5V时）
栅极电荷（Qg）：约 0.6nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT363（SOT-23-6）
NX7002BKHH 是一款高性能的小功率 MOSFET，具有优异的导通特性和快速开关能力。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极驱动电压较低（可工作在 2.5V 至 12V 范围内），使其适用于低电压逻辑控制电路。
该器件采用了 Nexperia 的先进 Trench MOS 工艺，提供更高的功率密度和更小的芯片尺寸，有助于实现更紧凑的设计。NX7002BKHH 还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。
其 SOT363 封装结构提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合用于高密度 PCB 布局。该器件符合 RoHS 环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代电子制造流程。
NX7002BKHH 广泛应用于多种低电压功率控制场合，如便携式设备中的负载开关、LED 驱动、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、逻辑接口控制以及通用电源管理电路。其低功耗和小尺寸特性也使其成为智能穿戴设备、物联网（IoT）设备和传感器控制模块中的理想选择。此外，该器件也可用于马达控制、继电器替代和热插拔电源管理等应用场景。
NX7002AKH, 2N7002K, BSS138K, 2N7002BK
