FQPF7N80是Fairchild(现已被ON Semiconductor收购)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。FQPF7N80以其低导通电阻和高击穿电压特性著称,能够有效降低功耗并提高系统效率。
FQPF7N80的设计目标是满足高性能电力电子应用需求,特别适合高频开关场景。其典型特点包括高雪崩能量能力、快速开关速度以及出色的热性能,这些特性使其成为工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压:800V
连续漏极电流:7A
导通电阻(Rds(on)):3.6Ω(在Vgs=10V时)
栅极电荷:45nC
输入电容:1190pF
总功耗:160W
工作温度范围:-55℃至+150℃
FQPF7N80是一款高性能的N沟道MOSFET,具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:最大漏源电压达到800V,适用于高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为3.6Ω,有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷和输入电容确保了更快的开关速度,从而降低开关损耗。
4. 高可靠性:具备较高的雪崩能量能力,能够在异常条件下提供额外的保护。
5. 良好的热性能:采用标准TO-220封装,便于散热设计。
6. 广泛的工作温度范围:支持从-55℃到+150℃的操作环境,适应各种恶劣工况。
FQPF7N80由于其出色的电气特性和可靠性,在以下领域中得到广泛应用:
1. 开关电源(SMPS):用于功率因数校正(PFC)电路和反激式转换器等。
2. DC-DC转换器:作为主开关或同步整流器件使用。
3. 电机驱动:控制直流无刷电机或步进电机的运行。
4. 负载切换:实现对不同负载的有效管理。
5. 工业逆变器:为太阳能逆变器或其他电力变换设备提供关键元件。
6. 消费电子产品:如家用电器中的电源管理和驱动电路。
IRFP250N, STP7NK80Z, FDPF7N80