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FQPF7N80 发布时间 时间:2025/5/22 9:18:17 查看 阅读:2

FQPF7N80是Fairchild(现已被ON Semiconductor收购)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。FQPF7N80以其低导通电阻和高击穿电压特性著称,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  FQPF7N80的设计目标是满足高性能电力电子应用需求,特别适合高频开关场景。其典型特点包括高雪崩能量能力、快速开关速度以及出色的热性能,这些特性使其成为工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压:800V
  连续漏极电流:7A
  导通电阻(Rds(on)):3.6Ω(在Vgs=10V时)
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1190pF
  总功耗:160W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

FQPF7N80是一款高性能的N沟道MOSFET,具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力:最大漏源电压达到800V,适用于高压环境下的开关应用。
  2. 低导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为3.6Ω,有助于减少传导损耗。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷和输入电容确保了更快的开关速度,从而降低开关损耗。
  4. 高可靠性:具备较高的雪崩能量能力,能够在异常条件下提供额外的保护。
  5. 良好的热性能:采用标准TO-220封装,便于散热设计。
  6. 广泛的工作温度范围:支持从-55℃到+150℃的操作环境,适应各种恶劣工况。

应用

FQPF7N80由于其出色的电气特性和可靠性,在以下领域中得到广泛应用:
  1. 开关电源(SMPS):用于功率因数校正(PFC)电路和反激式转换器等。
  2. DC-DC转换器:作为主开关或同步整流器件使用。
  3. 电机驱动:控制直流无刷电机或步进电机的运行。
  4. 负载切换:实现对不同负载的有效管理。
  5. 工业逆变器:为太阳能逆变器或其他电力变换设备提供关键元件。
  6. 消费电子产品:如家用电器中的电源管理和驱动电路。

替代型号

IRFP250N, STP7NK80Z, FDPF7N80

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FQPF7N80参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 1.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1850pF @ 25V
  • 功率 - 最大56W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装管件