时间：2025/4/27 8:59:33
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FQB10N20C 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），属于 Fairchild（现为 ON Semiconductor）的 FQ 系列。该器件采用 TO-252 封装，适用于各种开关和功率管理应用。其设计旨在提供低导通电阻和高效率，同时保持良好的开关性能。
这款 MOSFET 的最大漏源电压为 200V，连续漏极电流高达 10A，非常适合用于电源开关、电机驱动器、DC-DC 转换器以及负载切换等场景。
最大漏源电压：200V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：10A
脉冲漏极电流：30A
导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（在 Vgs=10V 时）
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
FQB10N20C 提供了以下主要特性：
1. 高击穿电压：额定 200V，确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 1.4Ω，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关能力：具有较低的输入电容和输出电荷，从而减少开关时间及相关的能量损失。
4. 增强的热稳定性：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内可靠工作。
5. 小型化封装：TO-252 封装使其适合于空间受限的应用环境。
6. 符合 RoHS 标准：环保且满足现代电子制造的要求。
FQB10N20C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流器使用。
3. 电机控制电路中的驱动器和保护元件。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率调节与管理。
6. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
7. 家用电器和消费电子产品中的功率转换模块。
FQP10N20C, IRFZ44N, STP10NK50Z
