类型：NPN 达林顿晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极电流（IC）：5 A
　　峰值集电极电流（ICM）：7 A
　　功耗（PD）：65 W
　　直流电流增益（hFE）：1000（最小值）
　　饱和电压（VCE(sat)）：1.5 V（典型值，IC = 3 A）
　　工作结温（Tj）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度（Tstg）：-65°C 至 +150°C

BUT11AI的核心优势在于其达林顿晶体管结构所带来的极高电流增益，这种结构将两个NPN晶体管串联连接，前级晶体管的电流被后级进一步放大，使得整体电流放大倍数达到单个晶体管的乘积级别。因此，即使在微弱的基极驱动信号下，BUT11AI也能有效导通并控制高达数安培的负载电流。这一特性特别适合用于微控制器输出端口直接驱动大功率负载的应用场合，例如驱动继电器线圈、直流电机或高亮度LED阵列，无需额外的缓冲或驱动级电路。
　　该器件具备出色的电压耐受能力，集电极-发射极最大电压为100V，能够安全地应用于多种中等电压电力系统中，包括12V、24V乃至48V的工业控制系统。同时，其最大连续集电极电流可达5A，短时峰值电流可至7A，确保了在瞬态负载或启动冲击下的可靠运行。此外，器件的饱和压降相对较低，在典型工作条件下VCE(sat)约为1.5V，虽然高于普通双极型晶体管，但在达林顿结构中已属优化水平，有助于减少导通损耗并提升能效。
　　BUT11AI采用TO-220封装形式，具备优良的热传导性能，可通过外接散热片将内部产生的热量有效散发，从而支持长时间高负荷运行。该封装也便于安装于PCB板上，并兼容自动焊接工艺，适用于大规模生产环境。器件的工作结温范围宽广，从-65°C到+150°C，保证了其在极端环境条件下的稳定性与可靠性，适合部署在工业现场、汽车电子或其他恶劣环境中使用。

BUT11AI常用于各类需要高增益、高功率开关能力的电子系统中。在工业自动化领域，它被广泛用于PLC输出模块中驱动电磁阀、接触器和小型电机；在家用电器中，可用于空调、洗衣机和冰箱中的压缩机或风扇电机控制电路。由于其能够直接由逻辑电平信号驱动，因此非常适合与微处理器或数字逻辑门电路配合使用，实现智能控制功能。
　　在照明控制系统中，BUT11AI可用于调光电路或高强度放电灯（HID）镇流器中的功率开关元件，提供稳定的电流输出。此外，该器件也可作为电源电路中的线性调整管或过流保护开关，用于稳压电源、电池充电器和DC-DC转换器等设备中，起到电流调节或故障隔离的作用。
　　在汽车电子系统中，BUT11AI可用于车身控制模块（BCM）中控制车灯、雨刷、电动窗等负载，其高耐压和抗干扰能力适应车载电气环境的波动。同时，由于其封装形式易于散热，也可应用于车载继电器驱动模块或发动机舱内的执行器控制单元。总之，BUT11AI凭借其高增益、高耐压和大电流承载能力，成为众多中功率开关应用中的理想选择。

TIP122, BDW93C, MJD122, NTE274, SK1019