FQPF45N03L 时间：2025/8/25 4:11:52 阅读：4

FQPF45N03L 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高电流、低电压应用，具有较低的导通电阻和良好的热性能，适合在电源管理和功率转换系统中使用。其采用先进的平面条形技术，提供了高效率和可靠性，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池充电器等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：45A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值50nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

特性

FQPF45N03L MOSFET采用了先进的平面条形技术和高密度电池设计，使得其在低导通电阻和高电流承载能力之间实现了良好的平衡。该器件具有出色的热稳定性和较低的开关损耗，适用于高效率电源转换系统。
　　其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低功率损耗，提高系统效率。同时，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关过程中的能量损失，提高整体性能。
　　此外，FQPF45N03L的封装形式为TO-220，具有良好的散热能力，能够适应高功率密度设计的需求。其高耐压能力和宽工作温度范围也使其在各种工业和消费类应用中表现出色。

应用

FQPF45N03L MOSFET常用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池充电器等。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也适用于需要高效能功率控制的工业自动化设备、服务器电源和UPS系统。
　　此外，它还可用于电源管理模块中的功率开关，实现对负载的精确控制和保护。由于其良好的热性能和高可靠性，FQPF45N03L也被广泛应用于车载电子系统和可再生能源系统中。