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B4Q30 发布时间 时间:2025/7/23 14:02:24 查看 阅读:8

B4Q30 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率晶体管,属于NPN型高频晶体管。该晶体管主要用于射频(RF)和中功率放大器应用,尤其适用于通信设备和工业控制系统。B4Q30采用先进的制造工艺,确保了在高频下的稳定性能和高效的功率输出。其封装形式为TO-220,便于散热和集成到各种电路设计中。

参数

晶体管类型:NPN型功率晶体管
  最大集电极电流(IC):10A
  最大集电极-发射极电压(VCE):30V
  最大集电极-基极电压(VCB):50V
  最大功耗(PD):75W
  工作温度范围:-65°C 至 150°C
  封装类型:TO-220

特性

B4Q30晶体管具有出色的高频性能,能够在射频范围内保持良好的增益和稳定性,适用于高频放大和开关应用。
  B4Q30的集电极电流高达10A,能够支持中高功率的电路需求,适合用于功率放大器和其他需要高电流输出的场景。
  该晶体管的最大功耗为75W,能够在较高温度环境下稳定运行,适用于需要较高散热能力的工业级应用。
  B4Q30采用了先进的硅工艺制造,具有较低的饱和压降和较高的可靠性,有助于提高电路效率并延长设备使用寿命。
  TO-220封装提供了良好的散热性能,便于安装在散热器上,进一步提升晶体管在高功率下的稳定性。

应用

B4Q30广泛应用于射频功率放大器、中功率开关电路、音频放大器、工业控制设备以及电源管理系统。此外,它还适用于需要高电流和高频率性能的电子设备,如通信基站、测试仪器和自动化控制系统。
  在射频应用中,B4Q30可以作为前置放大器或驱动放大器,提供稳定的高频信号放大功能。
  在电源管理方面,B4Q30可用于DC-DC转换器和稳压电路,以实现高效的能量转换。
  由于其良好的热稳定性和高可靠性,B4Q30也常用于汽车电子系统和工业自动化设备中。

替代型号

BD243C, TIP31C, 2N6491

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