时间：2025/8/9 6:14:46
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FMV03N60E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用。这款MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有优良的导通和开关性能。其额定电压为600V，适合用于电源管理、DC-AC转换器、电机控制和各种高电压电路中。FMV03N60E的设计旨在提供高可靠性和效率，同时保持较小的封装尺寸。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏电流(Id)：3A（@25℃）
脉冲漏电流(Idm)：12A
导通电阻(Rds(on))：2.2Ω（最大值）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220
功率耗散(Pd)：50W
输入电容(Ciss)：1200pF（典型值）
FMV03N60E的主要特性包括低导通电阻、高开关速度、低栅极电荷以及高耐用性。这些特性使其在高电压应用中表现出色，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，其封装设计有助于良好的散热性能，从而提高器件的稳定性和寿命。
该MOSFET的平面工艺使其具有出色的热稳定性，可以在较高的温度环境下正常工作。它的栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，非常适合高频开关应用。FMV03N60E还具备较强的抗过载能力和短路保护能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
FMV03N60E广泛应用于多种高电压和高电流的电路中，如开关电源、LED驱动器、电机控制电路、逆变器和电池管理系统。此外，它也可用于DC-DC转换器、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高可靠性和良好的热性能，FMV03N60E在汽车电子、消费类电子和工业控制领域中都得到了广泛应用。
FQP3N60C, IRFR3708, STP3NK60Z
