型号：RTQ045N03FRATR
　　品牌：RichTek（立锜科技）
　　器件类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装/包：DFN3x3-8L
　　通道数：单通道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：18A
　　脉冲漏极电流IDM：72A
　　导通电阻RDS(ON)（@VGS=10V）：4.5mΩ
　　导通电阻RDS(ON)（@VGS=4.5V）：6.2mΩ
　　阈值电压VGS(th)：典型值1.4V（范围1.0~2.0V）
　　输入电容Ciss：典型值950pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：典型值260pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间trr：典型值18ns
　　最大功耗PD：2.5W（@TC=25℃）
　　工作结温范围TJ：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围TSTG：-55℃ ~ +150℃

RTQ045N03FRATR采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备极低的导通电阻，在VGS=10V条件下，RDS(ON)仅为4.5mΩ，而在较低驱动电压VGS=4.5V下也能保持6.2mΩ的低阻值，这使得它在大电流应用中显著减少导通损耗，提升系统效率。其优化的晶圆结构设计不仅降低了RDS(ON)，还改善了载流子迁移率，增强了电流承载能力，可在25℃环境温度下持续通过18A的漏极电流，脉冲电流更高达72A，满足瞬态高负载需求。
　　该器件具有优异的开关特性，输入电容Ciss典型值为950pF，输出电容Coss为260pF，在高频DC-DC变换器中可实现快速开关动作，减少开关延迟和能量损耗。同时，其较短的反向恢复时间（trr约18ns）有效抑制了体二极管反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰，提升了电路的稳定性和EMI性能。栅极电荷Qg也经过优化，降低了驱动电路的功耗，适合与控制器或驱动IC配合使用于同步整流拓扑中。
　　RTQ045N03FRATR采用DFN3x3-8L无铅封装，底部带有散热焊盘，热阻RθJC（结到外壳）低至1.5℃/W，有利于热量快速传导至PCB，从而提高散热效率，延长器件寿命。该封装还具备良好的机械强度和焊接可靠性，支持回流焊工艺，适用于自动化贴片生产。此外，器件内部结构经过强化设计，具备较强的抗雪崩能力和过压保护特性，能够在瞬态过压或感性负载切换时保持稳定，防止击穿损坏。
　　在可靠性方面，RTQ045N03FRATR通过AEC-Q101等车规级测试标准的部分验证（视具体批次而定），可在-55℃至+150℃的宽结温范围内正常工作，适应严苛的工作环境。其栅氧化层经严格工艺控制，耐压达±20V，避免因栅极过压导致永久性损伤。整体设计兼顾高性能与高可靠性，是现代高效电源管理系统的理想选择之一。

RTQ045N03FRATR广泛应用于各类需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。在同步整流型DC-DC降压转换器中，常作为下管（low-side MOSFET）使用，凭借其超低导通电阻和快速开关响应，显著提升转换效率，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）和CPU/GPU供电系统。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和超极本中，该器件用于电池电源路径管理、负载开关控制以及充电回路中的通断控制，能够有效降低待机功耗并防止反向电流。
　　在LED照明驱动电源中，RTQ045N03FRATR可用于恒流控制电路中的开关元件，实现精确调光和高能效输出。其优异的热稳定性和低RDS(ON)使其在长时间工作下仍能保持较低温升，提高灯具寿命。在电动工具和无人机等电池供电设备中，该MOSFET常被用于电机驱动H桥电路或电池保护板（BMS）中的充放电控制开关，承担大电流通断任务，确保系统安全可靠运行。
　　此外，该器件也适用于工业电源模块、服务器电源单元、USB PD快充适配器、PoE供电设备以及电信基础设施中的中间总线转换器。其DFN小型封装便于高密度布局，适合多层PCB设计，同时支持自动光学检测（AOI）和回流焊接工艺，满足现代SMT生产线的需求。对于需要并联使用的高功率场合，RTQ045N03FRATR的一致性好、参数分散小，有利于均流设计，提升系统冗余性和稳定性。

RJK0450DPB-00#SC88
　　SiSS108DN-T1-E3
　　AON6240