时间：2025/12/23 19:26:27
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FQPF13N10 是一款 N 沱沟道功率场效应晶体管（MOSFET），属于 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的 MOSFET 系列。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率切换的电路中。
FQPF13N10 的设计使其能够在高电压和大电流条件下保持低导通电阻，从而减少功率损耗并提高效率。此外，其快速开关特性和出色的热性能也使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：15A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：80mΩ
总功耗：17W
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
FQPF13N10 具有以下主要特性：
1. 高电压处理能力，最大漏源电压可达 100V，适用于多种高压应用环境。
2. 低导通电阻，典型值为 80mΩ，能够有效降低导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高整体效率。
4. 出色的热性能，允许更高的结温和更大的功率处理能力。
5. TO-220 封装提供良好的散热性能和易于安装的特点。
6. 高可靠性设计，适合长时间运行的工业级应用场景。
这些特性使得 FQPF13N10 在众多功率转换和控制应用中表现出色。
FQPF13N10 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的电源管理单元。
由于其出色的性能和可靠性，FQPF13N10 成为工程师在设计高效率功率系统时的首选器件之一。
IRFZ44N
STP16NF10
FQP13N10L
