时间：2025/5/20 16:35:28
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IGW08T120是一款由英飞凌（Infineon）推出的80V功率MOSFET，采用TOLL封装。该器件专为高效率和高密度的电源应用设计，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等场景。其卓越的热性能和紧凑的封装形式使其成为高性能电源系统中的理想选择。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：54A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷（典型值）：88nC
输入电容（典型值）：2470pF
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TOLL
IGW08T120具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 优化的栅极电荷和输出电荷，有助于实现快速开关和减少开关损耗。
3. 超越传统DPAK封装的热性能表现，支持更高的功率密度。
4. 高雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下的可靠运行。
5. 紧凑型TOLL封装设计，节省PCB空间并简化布局。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
IGW08T120广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的DC-DC转换器和开关电源。
2. 汽车电子中的电池管理系统和电机驱动。
3. 通信设备中的负载开关和电源管理模块。
4. 家用电器中的高效电源解决方案。
5. 其他需要低导通损耗和快速开关性能的应用场景。
BSC098N08NSG
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AO6800
