H5TQ8G83BMR 时间：2025/9/1 11:17:06 阅读：23

H5TQ8G83BMR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）类别。该芯片采用先进的3D堆叠封装技术，具备高带宽、低延迟和高能效比的特性，广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理器（GPU）、人工智能（AI）加速器和高端游戏显卡等领域。

参数

容量：8GB
　　封装类型：3D堆叠封装（HBM2）
　　带宽：每引脚约2Gbps
　　接口类型：HBM2接口
　　电源电压：1.2V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　引脚数：1024
　　数据总线宽度：1024位
　　时钟频率：1GHz

特性

H5TQ8G83BMR 芯片采用了先进的HBM2技术，具备极高的数据传输速率和带宽，满足高性能计算和图形处理的需求。其3D堆叠封装结构不仅提升了存储密度，还大幅缩短了信号传输路径，从而降低了延迟并提升了能效。此外，该芯片设计紧凑，适用于空间受限的高端电子设备。其低电压设计（1.2V）有助于降低功耗，同时保持出色的性能表现。
　　这款DRAM芯片的另一个显著特点是其并行数据处理能力，能够在多个通道上同时进行数据传输，显著提升了系统整体的数据处理速度。H5TQ8G83BMR还具备良好的热管理和稳定性，适合长时间高负载运行的场景，如数据中心、AI训练和图形渲染等。
　　在封装方面，H5TQ8G83BMR采用了先进的TSV（Through Silicon Via，硅通孔）技术，使多个DRAM芯片堆叠在一起并通过硅通孔实现内部互联，从而实现了更高的数据带宽和更低的功耗。

应用

H5TQ8G83BMR 主要用于需要极高内存带宽的应用场景，如高端图形处理器（GPU）、AI加速器、深度学习系统、高性能计算（HPC）设备、高端游戏显卡以及下一代数据中心。此外，它也适用于需要快速数据处理的边缘计算设备和嵌入式系统。由于其卓越的性能和稳定性，H5TQ8G83BMR被广泛应用于NVIDIA、AMD等厂商的高端GPU产品中，以提供强大的内存支持。