H5TQ8G83BMR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory)类别。该芯片采用先进的3D堆叠封装技术,具备高带宽、低延迟和高能效比的特性,广泛应用于高性能计算(HPC)、图形处理器(GPU)、人工智能(AI)加速器和高端游戏显卡等领域。
容量:8GB
封装类型:3D堆叠封装(HBM2)
带宽:每引脚约2Gbps
接口类型:HBM2接口
电源电压:1.2V
工作温度范围:-40°C至+85°C
引脚数:1024
数据总线宽度:1024位
时钟频率:1GHz
H5TQ8G83BMR 芯片采用了先进的HBM2技术,具备极高的数据传输速率和带宽,满足高性能计算和图形处理的需求。其3D堆叠封装结构不仅提升了存储密度,还大幅缩短了信号传输路径,从而降低了延迟并提升了能效。此外,该芯片设计紧凑,适用于空间受限的高端电子设备。其低电压设计(1.2V)有助于降低功耗,同时保持出色的性能表现。
这款DRAM芯片的另一个显著特点是其并行数据处理能力,能够在多个通道上同时进行数据传输,显著提升了系统整体的数据处理速度。H5TQ8G83BMR还具备良好的热管理和稳定性,适合长时间高负载运行的场景,如数据中心、AI训练和图形渲染等。
在封装方面,H5TQ8G83BMR采用了先进的TSV(Through Silicon Via,硅通孔)技术,使多个DRAM芯片堆叠在一起并通过硅通孔实现内部互联,从而实现了更高的数据带宽和更低的功耗。
H5TQ8G83BMR 主要用于需要极高内存带宽的应用场景,如高端图形处理器(GPU)、AI加速器、深度学习系统、高性能计算(HPC)设备、高端游戏显卡以及下一代数据中心。此外,它也适用于需要快速数据处理的边缘计算设备和嵌入式系统。由于其卓越的性能和稳定性,H5TQ8G83BMR被广泛应用于NVIDIA、AMD等厂商的高端GPU产品中,以提供强大的内存支持。
H5TQ4G63AMR, H5TQ1G63CMR, HBM2-8GB-SKHynix