时间：2025/7/3 23:47:09
阅读：13
1N5930B是一种常见的硅雪崩整流二极管，广泛应用于各种电子电路中。这种二极管具有快速恢复时间、低正向电压降和高反向耐压的特性，使其非常适合用作保护电路中的箝位元件或高频开关应用中的整流元件。
该器件属于齐纳二极管系列，能够在反向偏置时提供稳定的参考电压，同时在过压情况下起到保护作用。
最大反向工作电压：82V
击穿电压（典型值）：76V
正向电流（最大）：1A
峰值脉冲电流：2.5A
功耗（最大）：1W
结电容：约4pF
正向电压降：1.1V
1N5930B的主要特点是其能够承受较高的反向电压，并且具有较低的动态阻抗，这使得它在稳压和保护应用中表现出色。
此外，该器件还具备良好的温度稳定性，在较宽的工作温度范围内仍能保持稳定的性能。
它的封装形式通常为DO-41或DO-35，具有较高的散热性能和机械强度。
由于采用了先进的制造工艺，1N5930B拥有较长的使用寿命和高度可靠性，适合工业级和消费级电子产品。
1N5930B常用于以下领域：
1. 稳压电路：作为齐纳二极管提供稳定的参考电压。
2. 过压保护：在电源输入端或敏感元器件前加入该二极管以防止瞬态电压对电路造成损害。
3. 高频整流：利用其快速恢复特性和低正向压降进行高频信号的整流处理。
4. 开关电源：配合其他元件完成电压调节或保护功能。
5. 通信设备：用作信号限幅器或滤波器的一部分。
1N5930
1N5931B
1N5932B
