K1057 时间：2025/9/7 17:49:31 阅读：13

K1057 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率放大器等电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承受能力的特点，适用于高效率、高频开关场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：8A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大）
　　功率耗散（Ptot）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

K1057 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这有助于减少在导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
　　该 MOSFET 具有较高的耐压能力（Vds 最大为 500V），适用于各种高电压应用场景，如开关电源、逆变器和马达控制等。
　　器件的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准的 10V 或 15V 驱动电压，提高了设计的灵活性。
　　K1057 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，便于安装和散热片连接。
　　此外，该器件具备较强的过载和瞬态电流承受能力，能够在瞬态负载变化中保持稳定工作。
　　由于其高可靠性和稳定性，K1057 常用于工业控制、电源设备和消费类电子产品中。

应用

K1057 常见于各类开关电源（SMPS）中，用于主开关或同步整流电路，提高电源转换效率。
　　它也广泛应用于直流电机控制、逆变器和UPS系统中，作为高电压开关元件。
　　在音频功率放大器中，K1057 可用于功率输出级，提供高保真音频输出。
　　此外，该器件适用于各种需要高电压和中等电流开关能力的工业自动化设备和控制系统。
　　由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，K1057 也常用于LED照明驱动、电池充电器和电源适配器等应用中。