时间：2025/12/29 15:08:24
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FQPF12N50T 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高功率的应用。其最大漏极电压（VDSS）为500V，最大连续漏极电流（ID）为12A，适合用于电源转换、电机控制和DC-DC转换器等场合。
最大漏极电压（VDSS）：500V
最大连续漏极电流（ID）：12A
最大功耗（PD）：110W
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
导通电阻（RDS(on)）：0.36Ω @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
FQPF12N50T 具有低导通电阻的特性，这意味着在导通状态下，MOSFET的功耗较低，从而提高了整体效率。该器件还具有较高的热稳定性，能够在较高温度下保持稳定的性能。此外，其封装设计有助于快速散热，延长了器件的使用寿命。
此MOSFET的栅极驱动要求较低，使其能够与多种控制电路兼容。FQPF12N50T的开关速度快，适合高频操作，减少了开关损耗。这种器件还具有良好的短路和过载保护能力，能够在严苛的工作条件下保持可靠性。
FQPF12N50T 常用于高电压和高功率的电源管理系统中，如AC-DC电源适配器、电机驱动电路、太阳能逆变器以及工业自动化设备。它也是设计高效能电源转换器的理想选择，包括开关电源（SMPS）和LED照明驱动电路。此外，该MOSFET也适合用于电动汽车和储能系统的功率管理模块。
FQP12N50C, FQA12N50C, IRFBC20, STP12NM50N
