FQPF12N50 时间：2025/8/24 22:30:05 阅读：6

FQPF12N50是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种高功率开关场合。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、逆变器和各种功率电子设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：12A（在25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω（最大值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功耗（PD）：94W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FQPF12N50 MOSFET具备多项优良特性，适用于多种功率电子应用。
　　首先，其高达500V的漏源耐压能力使其非常适合在高压环境中工作，例如电源开关和逆变器系统。漏极电流额定值为12A，使其能够处理中等功率水平的负载，如开关电源（SMPS）、电机驱动和照明系统。
　　其次，该器件的导通电阻RDS(on)最大为0.38Ω，这在同类产品中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，低RDS(on)也意味着在工作过程中产生的热量较少，有利于提高系统的可靠性和稳定性。
　　此外，FQPF12N50的栅极阈值电压范围为2V至4V，适合与常见的逻辑电平控制器（如微控制器或PWM控制器）配合使用，便于实现快速开关控制。其最大功耗为94W，表明该器件具备较好的散热能力，可在较高的环境温度下稳定运行。
　　该MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于通孔焊接（THT）安装，广泛用于工业、消费类电子和汽车电子领域。

应用

FQPF12N50主要应用于以下几类电子系统：
　　在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换，广泛用于电源适配器、UPS系统和电池充电器中。
　　在电机控制和驱动电路中，FQPF12N50可用于H桥结构或PWM调速系统，适用于直流电机、步进电机的控制，具有响应快、效率高的优点。
　　在逆变器系统中，该器件可用于DC-AC转换，广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源和车载电源转换器中。
　　此外，该MOSFET还可用于LED照明系统的电源管理、电子负载控制、工业自动化设备和家用电器中的功率控制模块。