时间：2025/5/21 13:03:24
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FQP9N25C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和负载切换等应用中，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，能够显著提高效率并降低功率损耗。
该型号属于逻辑电平驱动系列，这意味着其栅极阈值电压较低，适合直接由微控制器或逻辑电路驱动，无需额外的驱动级。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：17A
导通电阻(RDS(on))：25mΩ
栅极电荷(Qg)：42nC
开关时间：典型值ton=16ns，toff=18ns
工作温度范围：-55°C至+150°C
FQP9N25C采用先进的制造工艺设计，具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，在10V的VGS条件下仅为25mΩ，能够有效减少导通损耗。
2. 快速开关性能，支持高频应用，栅极电荷Qg仅为42nC。
3. 低阈值电压，支持逻辑电平驱动，使得其非常适合与数字控制电路配合使用。
4. 高电流处理能力，连续漏极电流高达17A。
5. 小型封装选项（如TO-220和DPAK），便于散热设计和PCB布局优化。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠性高。
FQP9N25C适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机(BLDC)或其他类型电机。
3. DC-DC转换器及升压/降压模块。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的电磁阀和继电器驱动。
6. 汽车电子系统中的电源管理和信号调节。
7. 逆变器和不间断电源(UPS)中的功率输出级。
IRFZ44N
STP17NF50
AO3400
FDP17N25C
