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NVJD4401N 发布时间 时间:2025/9/3 20:15:34 查看 阅读:5

NVJD4401N 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于中高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供较低的导通电阻(RDS(on))和高效的开关性能。NVJD4401N 适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理和电机控制等应用场景。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏极电流(ID):5.9A
  漏源击穿电压(VDS):30V
  栅源击穿电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):35mΩ @ VGS=10V
  栅极电荷(Qg):11nC
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TSOP-6

特性

NVJD4401N MOSFET 具备低导通电阻的特性,这使得在导通状态下功率损耗显著降低,从而提高了系统的整体效率。该器件的导通电阻在 VGS=10V 时仅为 35mΩ,适用于高效率开关应用。
  此外,NVJD4401N 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,提升了器件的开关速度,从而减少了开关过程中的能量损耗。栅极电荷(Qg)为 11nC,使得驱动电路的功耗更低,适合高频操作环境。
  该 MOSFET 还具有较高的热稳定性,可在高达 +175°C 的温度下稳定运行,适合工业级和汽车电子应用中对温度要求较高的场景。其 TSOP-6 封装形式不仅体积小巧,还具备良好的散热性能,适用于空间受限的设计。
  NVJD4401N 的 ±20V 栅源电压耐受能力使其在驱动电路中更加稳定可靠,能够应对瞬态电压波动,降低器件损坏的风险。

应用

NVJD4401N 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动电路以及负载开关控制。由于其高效率和紧凑封装,该器件在便携式设备、汽车电子、通信设备和工业自动化系统中广泛使用。
  在 DC-DC 转换器中,NVJD4401N 可作为主开关器件,提供高效的能量转换。在电池管理系统中,它用于控制充放电路径,减少能量损耗。在电机驱动电路中,其快速开关特性有助于提高控制精度和效率。
  此外,该 MOSFET 也可用于负载开关,实现对系统中不同模块的电源管理,提高系统的能效和可靠性。

替代型号

Si4406BDY-T1-GE3, FDS4410A, AO4406

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