时间：2025/9/3 20:15:34
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NVJD4401N 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于中高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能。NVJD4401N 适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理和电机控制等应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（ID）：5.9A
漏源击穿电压（VDS）：30V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：11nC
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TSOP-6
NVJD4401N MOSFET 具备低导通电阻的特性，这使得在导通状态下功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。该器件的导通电阻在 VGS=10V 时仅为 35mΩ，适用于高效率开关应用。
此外，NVJD4401N 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了器件的开关速度，从而减少了开关过程中的能量损耗。栅极电荷（Qg）为 11nC，使得驱动电路的功耗更低，适合高频操作环境。
该 MOSFET 还具有较高的热稳定性，可在高达 +175°C 的温度下稳定运行，适合工业级和汽车电子应用中对温度要求较高的场景。其 TSOP-6 封装形式不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适用于空间受限的设计。
NVJD4401N 的 ±20V 栅源电压耐受能力使其在驱动电路中更加稳定可靠，能够应对瞬态电压波动，降低器件损坏的风险。
NVJD4401N 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动电路以及负载开关控制。由于其高效率和紧凑封装，该器件在便携式设备、汽车电子、通信设备和工业自动化系统中广泛使用。
在 DC-DC 转换器中，NVJD4401N 可作为主开关器件，提供高效的能量转换。在电池管理系统中，它用于控制充放电路径，减少能量损耗。在电机驱动电路中，其快速开关特性有助于提高控制精度和效率。
此外，该 MOSFET 也可用于负载开关，实现对系统中不同模块的电源管理，提高系统的能效和可靠性。
Si4406BDY-T1-GE3, FDS4410A, AO4406
