时间：2025/7/31 19:07:21
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CZRT5252B-G 是一款由 Central Semiconductor 制造的双极性晶体管（BJT），采用 NPN 和 PNP 配置，属于双晶体管（Dual Transistor）系列。这种配置使其适用于需要互补晶体管对的电路设计，例如差分放大器、推挽放大器和开关电路等。该器件采用 SOT-23 封装，适合表面贴装应用，具有良好的热稳定性和高频响应性能。CZRT5252B-G 在工业自动化、消费电子、通信设备等领域中具有广泛的应用。
类型：双极性晶体管（NPN + PNP）
集电极-发射极电压（VCEO）：NPN 为 100V，PNP 为 -100V
集电极-基极电压（VCBO）：NPN 为 100V，PNP 为 -100V
发射极-基极电压（VEBO）：NPN 为 5V，PNP 为 -5V
最大集电极电流（IC）：100mA
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
CZRT5252B-G 双晶体管具有多项优异特性，适用于各种模拟和数字电路设计。其 NPN 和 PNP 晶体管组合提供了互补操作能力，适用于需要对称设计的电路，例如推挽放大器和差分放大器。
该器件的最大集电极-发射极电压为 100V，适用于中高压应用，具有良好的耐压能力。其集电极电流最大可达 100mA，能够驱动中等功率负载，适用于开关和放大电路。
SOT-23 封装不仅体积小巧，适合高密度 PCB 布局，而且具有良好的散热性能，有助于提高器件的稳定性和可靠性。此外，该器件的功耗为 300mW，能够在有限的散热条件下稳定工作。
其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于宽温度范围的应用环境，如工业控制、汽车电子和户外通信设备等。该器件还具有良好的频率响应，适合用于中高频放大电路。
在制造工艺上，Central Semiconductor 采用先进的半导体工艺，确保 CZRT5252B-G 具有稳定的电气性能和较高的良品率，适用于批量生产和长期运行的电子设备。
CZRT5252B-G 主要应用于需要互补晶体管对的电路设计中。例如，在音频放大器中，NPN 和 PNP 晶体管可以组成推挽输出级，提高放大器的效率和输出能力。在差分放大电路中，该器件能够有效抑制共模信号，提高电路的稳定性。
在开关电路中，CZRT5252B-G 可以用于控制负载的导通和关断，适用于电源管理、继电器驱动和 LED 控制等场景。在工业自动化系统中，该器件可用于传感器信号放大、逻辑电平转换和接口电路设计。
此外，该器件还广泛应用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和家用电器中的电源管理模块和信号处理电路。在通信设备中，CZRT5252B-G 可用于射频信号放大、数据传输和接口控制等关键电路。
CZRT5252B, MMBT2907AWT1G, BC807-40, BC846B
