时间：2025/8/25 1:28:07
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FQP47P06L 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和负载开关等场合。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点，适合用于 DC-DC 转换器、同步整流、电池供电设备等电源系统中。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：-60V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏电流 Id（@25°C）：-47A
导通电阻 Rds(on)（@4.5V Vgs）：≤22mΩ
导通电阻 Rds(on)（@2.5V Vgs）：≤30mΩ
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
FQP47P06L 的核心优势在于其低导通电阻特性，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件在 Vgs = 4.5V 时，Rds(on) 最大值仅为 22mΩ，非常适合用于高电流负载的控制。此外，该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和较高的耐用性，能够在高温环境下稳定运行。
其 TO-263 表面贴装封装形式不仅便于自动化装配，还具有良好的散热性能，适合用于高功率密度设计。FQP47P06L 的栅极驱动电压范围较宽，支持 2.5V 至 4.5V，兼容多种控制器和驱动器输出，适用于低电压逻辑电路直接驱动。
在安全性和可靠性方面，FQP47P06L 具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作。该器件还具备良好的短路耐受能力，适用于各种工业电源、服务器电源、电池管理系统（BMS）、负载开关和电机控制应用。
FQP47P06L 常用于电源管理与转换系统，包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池充电与保护电路、服务器和台式机电源系统、电源分配系统、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关控制。其高电流容量和低导通电阻也使其适用于便携式设备中的高效率电源管理模块。
Si4435BDY, IRF4905, FDS4760, SQM4760EP
