HGTP3N60B3 时间：2025/12/29 14:57:28 阅读：13

HGTP3N60B3 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等应用。该器件采用先进的 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　功率耗散（Pd）：40W
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

HGTP3N60B3 的核心特性之一是其卓越的导通性能与开关特性。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，使得导通电阻 Rds(on) 极低，在 3A 的工作电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高了整体效率并减少了散热需求。此外，该 MOSFET 具有高达 600V 的漏源电压能力，适用于各种高电压应用场景，如 AC/DC 电源转换器、LED 照明驱动器以及工业自动化设备中的电源管理模块。
　　在热性能方面，HGTP3N60B3 采用 TO-220 封装，具有良好的热传导性能，可以在高功率工作条件下保持稳定。该器件的封装结构有助于快速散热，防止因过热导致的性能下降或损坏。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，能够应对突发的电压或电流冲击，提高了系统可靠性。
　　从应用角度来看，HGTP3N60B3 还具有良好的栅极驱动兼容性，可与多种控制 IC 配合使用，适用于各种开关模式电源设计。其 ±30V 的栅极电压耐受能力也增强了其在复杂电气环境中的稳定性。整体而言，这款 MOSFET 在性能、可靠性和设计灵活性方面都表现出色，是许多中高功率电子系统中的理想选择。

应用

HGTP3N60B3 主要用于需要高电压和中等电流处理能力的功率电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、LED 照明驱动器、电机驱动电路以及工业自动化和控制设备中的负载开关。此外，该器件还可用于电源管理模块、UPS（不间断电源）系统、逆变器和各种家用电器的电源部分。
　　由于其具备较高的漏源击穿电压（600V）和良好的导通性能，HGTP3N60B3 在 AC/DC 转换器中表现尤为出色，适用于各种适配器、充电器和工业电源设备。在 LED 照明领域，该器件可用于高功率 LED 驱动电路，提供稳定高效的电源转换。在电机控制方面，HGTP3N60B3 可作为 H 桥结构中的关键开关元件，实现电机的正反转控制和调速功能。
　　此外，该 MOSFET 还适用于各种电源保护电路，如过流保护、欠压锁定和过热保护等，可增强系统的安全性和可靠性。由于其封装结构便于安装散热片，HGTP3N60B3 也常用于需要长时间高负载运行的工业设备中。