时间：2025/5/7 15:17:11
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BUK761R6-40E 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的 N 沯道功率场效应晶体管（MOSFET）。它采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。这种 MOSFET 主要用于高效能电源转换、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。
该器件的工作电压范围为 -0.3V 至 +40V，能够承受较高的瞬态电压冲击，并且具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源极电压：40V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：6mΩ
栅极电荷：49nC
输入电容：1120pF
总功耗：25W
工作温度范围：-55℃至+175℃
BUK761R6-40E 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 强大的雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小型 DPAK (TO-252) 封装，节省电路板空间同时改善散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 在高电流条件下保持稳定的电气特性。
这款 MOSFET 广泛应用于多种电力电子领域：
1. 开关模式电源（SMPS），例如适配器和充电器。
2. 电信及网络设备中的 DC-DC 转换模块。
3. 工业自动化控制中的电机驱动电路。
4. 汽车电子系统，如启动停止系统、电池管理单元。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源解决方案。
6. 各种消费类电子产品中的负载切换功能实现。
NTMFS4C626NL, IRFZ44N
