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FQP36P15 发布时间 时间:2025/8/24 23:34:21 查看 阅读:5

FQP36P15是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于P沟道MOSFET器件。该器件专为高功率应用设计,能够在高电流和高电压环境下稳定运行,广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等电路中。FQP36P15采用TO-220封装,具备良好的热性能和电流承载能力,适用于需要高可靠性和高效率的电子系统。

参数

类型:P沟道
  漏源电压(VDS):-15V
  漏极电流(ID):-36A(连续)
  栅极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约5.5mΩ(典型值,VGS = -10V)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散(PD):60W
  热阻(RθJA):2.0°C/W(典型值)

特性

FQP36P15具备多项优异的电气和热性能,适用于高功率密度设计。
  首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。在VGS = -10V时,RDS(on)仅为约5.5mΩ,这一特性使其非常适合用于高电流应用,如电源转换器和电机驱动器。
  其次,该器件的漏极电流能力高达-36A,能够支持大功率负载的切换和控制。同时,漏源电压额定值为-15V,适合用于低电压高电流的电源管理系统。
  此外,FQP36P15采用了先进的沟槽技术,提高了器件的开关速度和热稳定性。其封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,能够在高功率工作环境下保持稳定运行。
  该器件的栅极电压范围为±20V,提供了较高的驱动灵活性,同时内置的栅极保护二极管有助于防止静电放电(ESD)损坏。
  最后,FQP36P15的工作温度范围为-55°C至+175°C,适应各种恶劣的工作环境,确保了在极端条件下的可靠性和稳定性。

应用

FQP36P15主要应用于高功率电子设备中,作为开关或负载控制元件。常见的应用包括:
  1. **电源管理系统**:在DC-DC转换器、同步整流器和电池管理系统中,FQP36P15用于高效地切换高电流负载,提升整体系统效率。
  2. **电机控制**:在电动工具、电动车和工业自动化设备中,该MOSFET可用于控制电机的启停和调速,提供可靠的功率控制。
  3. **负载开关**:FQP36P15可作为高电流负载开关,用于控制电源的通断,常见于服务器电源、工业设备和消费类电子产品中。
  4. **逆变器和UPS系统**:在不间断电源(UPS)和逆变器中,该器件可用于高效地将直流电转换为交流电,确保电力供应的连续性和稳定性。
  5. **汽车电子**:FQP36P15也可用于汽车中的高功率电子系统,如车载充电器、起动电机控制器和车载逆变器等,提供可靠的功率管理解决方案。

替代型号

IRF9540N, FDP36P15, STP36PF15

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