类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：100V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：10A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.45Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

AP10N10K 具备一系列出色的电气和热性能，使其在中高功率应用中表现出色。其主要特性包括：
　　? 高耐压能力：漏源电压额定为 100V，适用于多种中压功率转换应用。
　　? 低导通电阻：在 Vgs=10V 时，Rds(on) 的典型值为 0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　? 高电流能力：可承受连续漏极电流达 10A，适合中等功率负载的应用需求。
　　? 快速开关特性：具有较低的输入电容和开关时间，适合高频开关应用。
　　? 高可靠性：采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热稳定性与机械强度，适用于表面贴装技术（SMT）生产工艺。
　　? 热保护性能：内置热关断功能，防止过热损坏，提高系统稳定性。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，兼容标准逻辑电平，适用于多种控制电路。

AP10N10K 被广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中，主要包括：
　　? 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器元件
　　? DC-DC 升压/降压转换器中的功率开关器件
　　? 电池管理系统（BMS）中的负载切换控制
　　? 电机驱动电路中的功率控制部分
　　? 电子负载和测试设备中的功率开关应用
　　? 工业自动化和控制设备中的功率管理模块
　　由于其高可靠性和良好的热管理能力，该器件在工业级和汽车电子应用中也有广泛使用。

IPD10N10N3, FDD10N10, IRFZ44N, STP10NK50Z, AP10N10KH