时间：2025/8/6 4:22:05
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IXTT440N04T4HV 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能、低导通电阻和高开关速度的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通损耗和开关性能。IXTT440N04T4HV 的设计特别适合用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等高功率应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：440A
最大漏源电压 (VDS)：40V
最大栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：最大 1.2mΩ（在 VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：DirectFET (双面散热)
栅极电荷 (Qg)：约 280nC
输入电容 (Ciss)：约 9200pF
功率耗散 (Ptot)：250W
IXTT440N04T4HV 具备多项关键特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，其极低的导通电阻 (RDS(on)) 可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大 RDS(on) 为 1.2mΩ，在 VGS=10V 的条件下，确保了在大电流应用中的低功耗运行。此外，该 MOSFET 采用了 DirectFET 封装技术，这种封装形式不仅具有优异的热性能，还支持双面散热，从而提高了器件在高功率密度环境下的可靠性。
其次，IXTT440N04T4HV 的栅极电荷 (Qg) 相对较低，约为 280nC，这有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。输入电容 (Ciss) 为约 9200pF，影响栅极驱动电路的设计，但结合低 Qg 值，仍然实现了良好的开关性能。
IXTT440N04T4HV 主要应用于高功率密度的电源管理系统，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制电路以及电池管理系统（BMS）。在同步整流器中，它能够有效替代传统的肖特基二极管，减少导通损耗并提高转换效率。在 DC-DC 转换器中，该器件的低 RDS(on) 和高开关速度特性使其适用于高频变换拓扑，提升整体系统性能。在负载开关设计中，IXTT440N04T4HV 可作为高效率的功率开关，实现快速导通和断开。此外，它在汽车电子系统中也广泛使用，如电动车辆的功率管理系统、车载充电器和电机驱动系统。
SiZ440DT, IXTT410N04T4, IXTT460N04T4, IRF6744, CSD17501Q5A
