时间：2025/3/24 15:44:39
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FQP24N08是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于多种开关和电源管理应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力的特点。
这款MOSFET的耐压值为80V，能够满足大多数中低压应用场景的需求，同时其快速开关特性和较低的栅极电荷使得它非常适合高频开关电路设计。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：27nC
总电容（Ciss）：3950pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高瞬态电流承受能力，可确保在极端负载条件下稳定运行。
3. 快速开关速度，适合高频开关电源、DC-DC转换器等应用。
4. 热稳定性好，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的生产需求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 汽车电子中的负载切换
6. 工业自动化设备中的功率控制
7. 各类需要高效功率切换的场景
IRFZ44N
STP24NF06
FDP24N08
