产品系列：B30140
　　型号：B30140-D2008-R116
　　电感值：0.116 μH (116 nH)
　　容差：±20%
　　直流电阻（DCR）：典型值 0.045 Ω (45 mΩ)
　　额定电流（Irms）：约 2.8 A (取决于温升条件)
　　饱和电流（Isat）：约 3.5 A (电感下降30%时)
　　自谐振频率（SRF）：典型值 > 500 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装尺寸：3.0 x 2.5 x 2.0 mm (EIA 1210)
　　端电极材料：Ag/Pd/Cu 多层电极，兼容无铅焊接
　　安装方式：表面贴装（SMD）

B30140-D2008-R116 具备多项先进特性，使其在现代高频电源与射频应用中表现出色。首先，其采用 LTCC 工艺结合内部磁性材料复合设计，实现了高度集成的三维线圈结构，有效提升了单位体积内的电感密度，同时降低了绕组电阻，从而减少铜损，提高整体效率。这种结构还赋予器件良好的磁屏蔽能力，显著抑制外部磁场泄漏，降低对邻近元件的电磁干扰（EMI），特别适用于高密度 PCB 布局。
　　其次，该电感具有优异的直流叠加特性，能够在大电流下保持较稳定的电感值。其饱和电流（Isat）高达约 3.5 A，在电感值下降至原始值的70%时仍能承受较大直流偏置，确保在开关电源瞬态负载变化时维持系统稳定性。同时，其温升电流（Irms）约为 2.8 A，表明在连续工作状态下也能有效散热，避免因过热导致性能退化或失效。
　　再者，B30140-D2008-R116 拥有较高的自谐振频率（SRF），通常超过 500 MHz，这意味着其有效工作频段可延伸至甚高频范围，适用于 GHz 以下的射频电路和高速数字电源去耦场景。高频下的低损耗特性得益于材料优化和精细布线工艺，减少了涡流和磁滞损耗。
　　此外，该器件具备出色的环境适应性，可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定运行，满足汽车电子、工业控制等严苛应用的需求。其端子采用多层金属化结构（银/钯/铜），不仅增强了焊接可靠性，还能抵抗热循环应力和潮湿侵蚀，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，支持无铅回流焊工艺。整体结构坚固，机械强度高，适合批量自动化生产。

B30140-D2008-R116 主要应用于对空间、效率和高频性能有严格要求的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该电感常用于 buck 或 boost 型 DC-DC 转换器的储能元件，配合高频率开关控制器实现高效的电压转换，延长电池续航时间。其小尺寸和高电流承载能力使其成为紧凑型电源模块的理想选择。
　　在通信设备领域，特别是在 4G/5G 移动终端和无线基站模块中，该电感可用于射频功率放大器（PA）的偏置网络和匹配电路，提供稳定的直流馈电路径，同时阻止高频信号反向传播，保障信号完整性。其高 SRF 和低插入损耗特性有助于提升射频链路的整体性能。
　　此外，该器件也适用于服务器和高性能计算平台中的电压调节模块（VRM），为 CPU 和 GPU 提供快速响应的供电支持。在这些应用中，多相交错并联的降压变换器需要低 DCR 和高 Isat 的电感来降低功耗并应对动态负载变化，B30140-D2008-R116 正好满足这些需求。
　　在汽车电子方面，尽管该型号未明确标注为 AEC-Q200 认证，但其宽温特性和高可靠性使其可应用于车载信息娱乐系统、ADAS 传感器供电单元或车身控制模块中的非安全关键电源电路。同时，工业自动化设备、FPGA 供电系统以及高端物联网网关也是其潜在的应用场景。

B30140-D2008-R120
　　B30140-D2008-R100
　　SLF1210T-116NK9R2
　　PLT3025-116K