时间：2025/8/25 0:50:09
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FQP16N65 是由 Fairchild（飞兆半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高电压、高功率的开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器等功率电子设备中。该器件采用先进的平面条形工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力、快速开关特性和高可靠性。FQP16N65 的最大漏源电压（VDS）为 650V，连续漏极电流（ID）可达 16A，在高温环境下仍具有良好的性能表现。
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：16A（在25℃）
最大功率耗散（PD）：125W
导通电阻（RDS(on)）：0.42Ω（最大值，典型值0.38Ω）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
FQP16N65 具有多个关键特性，适用于各种功率电子应用。首先，其高漏源电压（650V）使其适用于中高功率开关电源（SMPS）和离线电源转换器，能够有效应对较高的电压应力。其次，该 MOSFET 具有较低的导通电阻（RDS(on)），在工作状态下能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，FQP16N65 具有快速开关特性，能够适应高频开关应用，从而减小变压器和电感的尺寸，提高系统的功率密度。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性与耐用性。其封装形式为 TO-220，便于安装和散热设计，适用于工业级和消费级电子设备中的功率管理模块。
FQP16N65 的栅极驱动要求较为常规，标准的 10V 栅极驱动电压即可实现完全导通，因此可与常见的 PWM 控制器或驱动 IC 兼容。此外，该器件具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护功能。对于需要高可靠性的工业电源、电机驱动和逆变器应用，FQP16N65 是一个性能稳定、成本效益高的选择。
FQP16N65 主要用于以下几类应用：开关电源（SMPS）、AC-DC 电源适配器、电池充电器、LED 驱动电源、DC-DC 转换器、逆变器、马达控制、工业自动化设备和电源管理系统。在这些应用中，它通常作为主开关器件使用，负责在高频条件下控制电流的通断，以实现高效的能量转换。例如，在开关电源中，FQP16N65 可用于初级侧的开关元件，负责将高压交流电转换为高频脉冲电流，再通过变压器降压和整流滤波后输出稳定的直流电压。此外，它也适用于需要高压和高电流处理能力的电动工具、电动车控制器和太阳能逆变系统中。由于其良好的导通特性和较高的耐压能力，FQP16N65 也可用于同步整流电路和功率因数校正（PFC）电路中。
FQP16N65CF, FQA16N65C, FQA16N65CF, STF16N65M2
