FQP10N50CF_08 是 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电压、高效率的开关应用,具备低导通电阻、高耐压能力和优良的热稳定性。其封装形式为TO-220,适用于多种电源管理和功率控制场合。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
连续漏极电流(Id):9.4A
脉冲漏极电流(Idm):38A
栅源电压(Vgs):±30V
导通电阻(Rds(on)):0.65Ω(最大值)
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
FQP10N50CF_08 具备多项优异特性,适用于中高功率应用。其主要特性包括:
1. **高耐压能力**:该器件的漏源击穿电压为500V,能够承受较高的电压应力,适用于开关电源、电机驱动和照明控制系统等高压环境。
2. **低导通电阻**:最大导通电阻为0.65Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率,并减少发热。
3. **高电流承载能力**:连续漏极电流为9.4A,脉冲漏极电流可达38A,适合需要瞬间高电流输出的应用场景。
4. **良好的热稳定性**:采用TO-220封装,具备良好的散热性能,确保器件在高负载下稳定运行。
5. **宽栅源电压范围**:栅源电压范围为±30V,提高了栅极驱动的灵活性和可靠性。
6. **高可靠性**:采用先进的硅栅工艺制造,确保器件在恶劣环境下依然具有出色的性能和长寿命。
FQP10N50CF_08 由于其高电压和中等电流能力,广泛应用于以下领域:
1. **开关电源(SMPS)**:如AC/DC适配器、电源模块等,用于高效能的功率转换。
2. **电机控制**:适用于小型电机驱动电路,如电动工具、风扇控制等。
3. **照明系统**:如LED驱动器、HID灯镇流器等,提供稳定的开关控制。
4. **逆变器和UPS系统**:用于直流到交流的转换过程,确保高效能和可靠性。
5. **电池管理系统**:如充电控制、电池保护电路等,确保电池的高效与安全运行。
6. **工业自动化**:用于继电器替代、负载开关等场合,提高系统的响应速度和寿命。
FQA10N50C、IRFBC40、FQP13N50C、STP10NM50N