FQP10N50CF_08 时间：2025/8/24 22:20:59 阅读：19

FQP10N50CF_08 是 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电压、高效率的开关应用，具备低导通电阻、高耐压能力和优良的热稳定性。其封装形式为TO-220，适用于多种电源管理和功率控制场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：9.4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：38A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FQP10N50CF_08 具备多项优异特性，适用于中高功率应用。其主要特性包括：
　　1. **高耐压能力**：该器件的漏源击穿电压为500V，能够承受较高的电压应力，适用于开关电源、电机驱动和照明控制系统等高压环境。
　　2. **低导通电阻**：最大导通电阻为0.65Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率，并减少发热。
　　3. **高电流承载能力**：连续漏极电流为9.4A，脉冲漏极电流可达38A，适合需要瞬间高电流输出的应用场景。
　　4. **良好的热稳定性**：采用TO-220封装，具备良好的散热性能，确保器件在高负载下稳定运行。
　　5. **宽栅源电压范围**：栅源电压范围为±30V，提高了栅极驱动的灵活性和可靠性。
　　6. **高可靠性**：采用先进的硅栅工艺制造，确保器件在恶劣环境下依然具有出色的性能和长寿命。

应用

FQP10N50CF_08 由于其高电压和中等电流能力，广泛应用于以下领域：
　　1. **开关电源（SMPS）**：如AC/DC适配器、电源模块等，用于高效能的功率转换。
　　2. **电机控制**：适用于小型电机驱动电路，如电动工具、风扇控制等。
　　3. **照明系统**：如LED驱动器、HID灯镇流器等，提供稳定的开关控制。
　　4. **逆变器和UPS系统**：用于直流到交流的转换过程，确保高效能和可靠性。
　　5. **电池管理系统**：如充电控制、电池保护电路等，确保电池的高效与安全运行。
　　6. **工业自动化**：用于继电器替代、负载开关等场合，提高系统的响应速度和寿命。