类型：肖特基二极管
　　封装类型：SOT-23
　　最大正向电流：300 mA
　　峰值反向电压：40 V
　　正向压降（IF=100mA）：最大0.55 V
　　反向漏电流（VR=40V）：最大100 nA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　结电容（Typ）：约10 pF

LBAS40-04LT1G 具备多项优异的电气和物理特性，非常适合用于高频和低功耗应用。其主要特性之一是低正向压降，这有助于减少电路中的能量损耗，提高整体效率。在100 mA的正向电流条件下，正向压降最大仅为0.55 V，相较于普通硅二极管显著降低，使得该器件在电源转换和整流应用中具有明显优势。
　　此外，LBAS40-04LT1G具备快速开关能力，适用于高频电路设计。其反向恢复时间极短，通常在纳秒级别，这意味着在开关过程中产生的损耗较小，适用于高效率的DC-DC转换器和整流电路。
　　该器件的SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时支持表面贴装工艺，提高了生产自动化水平和焊接可靠性。其工作温度范围为-55°C至+150°C，能够适应各种严苛的环境条件，包括工业控制、汽车电子等应用场景。
　　LBAS40-04LT1G的反向漏电流较低，在40 V反向电压下的最大漏电流仅为100 nA，有助于维持电路的稳定性，减少不必要的功耗。此外，该器件的结电容约为10 pF，适合用于射频和高频信号处理电路中，提供良好的信号完整性。

LBAS40-04LT1G 由于其优异的性能特性，广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、电池充电电路以及电压整流模块。其低正向压降和快速响应能力，使得电源转换效率更高，适用于便携式电子设备和嵌入式系统。
　　在通信设备中，LBAS40-04LT1G 可用于高频信号整流和保护电路，确保信号传输的稳定性和可靠性。例如，在无线基站、光纤通信模块和网络交换设备中，该器件能够有效处理高频信号并防止反向电流损坏关键电路。
　　汽车电子领域也是LBAS40-04LT1G的重要应用方向。它可以用于车载充电系统、LED照明控制电路以及车载信息娱乐系统的电源管理模块，满足汽车环境中对高可靠性和宽温范围的要求。
　　此外，该器件还常用于工业自动化设备、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理和信号处理电路，提供高效、稳定的整流和保护功能。

MBRS340T3G, BAS40-04W, 1N5819WS, SMS40T40CPL