类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：600V
　　最大连续漏极电流(Id)：7A
　　导通电阻(Rdson)：约1.2Ω（典型值）
　　栅极电压(Vgs)：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散(Pd)：80W

FQI7N60B具备多项优异特性，使其在电源管理应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rdson）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在高压应用中，这一特性尤为重要，因为它有助于降低功率损耗并提高能效。
　　其次，该MOSFET具有高耐压能力，最大漏极电压可达600V，适用于各种中高压电源系统，如AC-DC电源适配器、离线式开关电源等。
　　此外，FQI7N60B采用了TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在高功率密度环境下稳定工作。这种封装形式也便于安装在散热片上，以提高散热效率。
　　该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的电气性能，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　最后，FQI7N60B的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，增强了其在不同驱动电路中的兼容性，简化了驱动电路的设计。

FQI7N60B广泛应用于多种电源和功率控制领域。
　　在开关电源（SMPS）中，FQI7N60B常用于作为主开关元件，其低导通电阻和高耐压特性有助于提高转换效率并减小电源体积，适用于电源适配器、LED驱动电源和电池充电器等设备。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高频开关使用，其快速开关特性和低损耗特性有助于提升转换效率，适用于工业控制电源、通信设备电源模块等场景。
　　此外，FQI7N60B还可用于电机控制和逆变器系统，作为功率开关元件，控制电机的启停和调速，适用于家用电器、电动工具和小型工业设备等应用。
　　由于其良好的热稳定性和耐用性，该器件也可用于环境较为恶劣的工业控制系统中，如工业自动化设备、UPS不间断电源等。
　　总之，FQI7N60B凭借其高效能、高可靠性和广泛的适用性，在多个电子系统中都具有重要的应用价值。

FQA7N60C, IRF7N60A, STF7NM60N, FDPF7N60