型号：2SK2100(-01MR)
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大漏极电流（Id）：1.2A
　　最大耗散功率（Pd）：25W
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 5.5Ω（典型值）
　　跨导（Gm）：15S（最小值）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SIL-9 / SSF

2SK2100(-01MR)具备多项优异的电气特性，使其在模拟音频应用中表现出色。首先，该器件具有非常高的跨导（Gm），典型值可达15西门子，这表示其输入电压对输出电流的控制能力极强，能够在小信号条件下实现高增益放大，从而提升音频系统的动态响应和解析力。高跨导特性还使得其在甲类或甲乙类放大器中能够有效减少非线性失真，提高音质还原度。
　　其次，2SK2100的漏源击穿电压高达200V，允许其在较高的电源电压下稳定工作，适用于输出功率较大的音频放大器设计。同时，其最大漏极电流为1.2A，足以驱动中等功率级别的负载，满足多数Hi-Fi功放的需求。该器件的导通电阻较低（Rds(on) ≤ 5.5Ω），虽然相较于现代功率MOSFET略高，但在小信号和中功率音频应用中仍属于合理范围，有助于降低导通损耗并提升效率。
　　此外，2SK2100采用了东芝成熟的平面硅栅工艺，确保了器件的一致性和可靠性。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，适中的开启电压使其易于与常见的驱动电路匹配，避免因驱动不足导致的交越失真。器件的栅极输入阻抗极高，几乎不吸取输入电流，因此对前级驱动电路的负载极小，有利于多级放大器的设计。
　　热稳定性方面，2SK2100的工作结温可达+150°C，配合适当的散热措施可在长时间满负荷运行下保持性能稳定。其SIL-9封装不仅提供了良好的机械强度和电气隔离，还具备一定的散热能力，适合密集布板环境下的自动化焊接。由于其长期供货历史和广泛应用，市场上积累了大量关于该器件的应用笔记和替换方案，便于工程师进行维护和升级。

2SK2100(-01MR)主要应用于高保真音频放大器的输出级，特别是在分立元件构成的甲类或甲乙类功放电路中作为N沟道输出管使用。它常与P沟道MOSFET 2SJ357配对组成互补对称推挽结构，这种组合因其良好的匹配性和音质表现而被众多音响制造商采用，广泛用于家庭影院系统、专业监听音箱和高端音响设备中。
　　除了主放大级，该器件也可用于前置放大器、缓冲级或电压放大级，尤其适合需要高输入阻抗和低噪声放大的场景。由于其低失真和高线性度的特点，2SK2100在模拟信号处理电路中也被用于有源滤波器、电压跟随器和电流源电路中。
　　在维修和替换领域，2SK2100常用于老旧音响设备的元器件更换，尤其是在修复上世纪80年代至2000年代初的日本产Hi-Fi功放时，成为关键的替换件。尽管近年来出现了性能更优的新型MOSFET，但由于其声音特质被许多音响爱好者所青睐，2SK2100依然在DIY音响圈中拥有很高的声誉。
　　此外，该器件还可用于工业控制中的小功率开关电路、DC-DC转换器以及需要高耐压MOSFET的特殊模拟应用场合。由于其稳定的性能和长期的市场验证，即使在非音频领域，只要满足电气参数要求，也可以作为可靠的N沟道MOSFET使用。

2SK1058, 2SK1175, 2SK170, BUZ900