时间：2025/8/15 3:19:54
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SVM1060XB T/R 是一款由 Sanken（三健电子）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高效率功率转换和功率开关应用。这款 MOSFET 设计用于高电流、高频应用，具有低导通电阻和高耐压能力，是电源管理、DC-DC 转换器和电机控制电路中的常用元件。T/R 表示该器件是以卷带（Tape and Reel）形式包装，适用于自动贴片机等自动化生产流程。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SVM1060XB T/R 具有多个优异的电气特性和设计优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的效率，这在高电流应用中尤为重要。
其次，该 MOSFET 的高耐压能力（60V）和高电流承载能力（100A）使其能够在高功率密度电路中稳定工作，适用于电源转换器、同步整流器以及电机控制电路。
此外，SVM1060XB T/R 采用了高性能封装技术，能够有效散热，保证器件在高负载条件下仍能保持良好的工作稳定性。其卷带包装（T/R）形式也便于大规模自动化生产和贴装，提高了制造效率。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准驱动电路进行控制，兼容性强。同时，其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在各种恶劣环境条件下的可靠性。
综上所述，SVM1060XB T/R 凭借其低导通电阻、高电流能力和高耐压性能，成为电源管理和功率控制领域中的理想选择。
SVM1060XB T/R 广泛应用于多个高功率电子系统，包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、电源管理系统、电机驱动器、电池充电器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及新能源系统如光伏逆变器等。其高效率和高可靠性使其在需要高效能功率转换的场合中表现出色。
SiS106N06LG, IRF1010E, STP100N6F6
