时间：2025/8/24 23:23:17
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FQH15N50是一种高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源转换和电机控制等高功率应用场景。这款MOSFET以其高效率、低导通电阻和良好的热稳定性而闻名，适用于各种工业设备和消费电子产品。
最大漏极电流：15A
漏极-源极击穿电压：500V
栅极-源极电压范围：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
FQH15N50具有低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压特性使其在高电压环境下依然能够稳定工作。此外，FQH15N50具备优良的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定，延长设备使用寿命。其TO-220封装设计不仅便于安装，还具有良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。
FQH15N50广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、UPS系统、电机驱动和各种高功率电子设备中。在工业自动化领域，它常用于控制电机和电源系统的高效运行。
FQH15N50可以被FQPF15N50、IRFBC40、FQA16N50等型号替代。
