IRL60SC216是一款由英飞凌(Infineon)推出的功率MOSFET器件,属于OptiMOS?系列。该系列器件专为高效率和高性能的电源管理应用设计,适用于需要高功率密度和低导通损耗的场景。IRL60SC216采用先进的沟槽式技术,提供较低的RDS(on)值,从而降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。该器件通常用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理模块以及电机控制等应用领域。IRL60SC216采用常见的封装形式,便于集成到各种电路设计中,并具有良好的热性能和耐用性。
类型:功率MOSFET
技术:沟槽式
最大漏极电压(VDSS):60V
最大漏极电流(ID):160A
RDS(on):约1.6mΩ(典型值)
封装类型:PowerPAK SO-8双侧散热
工作温度范围:-55°C至175°C
栅极电荷(Qg):约50nC(典型值)
漏极-源极击穿电压:60V
连续漏极电流(ID@TC=100°C):160A
IRL60SC216具有多个显著的性能特点,使其成为高性能电源管理应用的理想选择。
首先,该器件具有极低的RDS(on)值,约为1.6mΩ,显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了能效。这种低导通电阻特性对于高电流应用尤为重要,因为它可以减少发热并提高系统可靠性。
其次,IRL60SC216采用先进的沟槽式技术,提供更高的开关速度和更低的开关损耗,从而进一步提升整体系统效率。其栅极电荷(Qg)约为50nC,确保了较快的开关动作,同时减少了驱动电路的负担。
此外,该器件具有优异的热性能,采用PowerPAK SO-8双侧散热封装,能够有效散发热量,确保在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。其工作温度范围为-55°C至175°C,适应各种严苛的环境条件。
最后,IRL60SC216具有较高的电流承载能力,最大漏极电流可达160A,适合用于高功率密度的设计。同时,其良好的耐用性和稳定性确保了长期运行的可靠性,适用于工业控制、汽车电子、服务器电源等多种应用场景。
IRL60SC216广泛应用于多个高性能电源管理系统中,尤其适合需要高效能、高电流承载能力和低导通损耗的场景。
首先,在DC-DC转换器中,IRL60SC216的低RDS(on)和高开关速度使其成为理想的同步整流器和开关元件,能够有效提升转换效率,减少热量产生。在服务器电源、电信设备和工业电源系统中,该器件常用于构建高效能的电源模块,以满足高功率需求。
其次,在电机驱动和控制电路中,IRL60SC216的高电流承载能力和快速开关特性使其适用于H桥电路和PWM控制,提供精确的电机控制和高效的能量传输。
此外,在汽车电子系统中,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统、电池管理系统等关键部件,确保在复杂工况下稳定运行。
最后,在可再生能源系统(如太阳能逆变器和储能系统)中,IRL60SC216的高效率和高可靠性使其成为构建高效能量转换电路的重要组件。
IRL60SC216的替代型号包括IRL830、SiR178DP、FDMS7680、BSC0160LS、BSC028NLS等。