类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：60V
　　漏极电流 Id：96A
　　导通电阻 Rds(on)：4.5mΩ（典型值）
　　栅极电压 Vgs：±20V
　　功耗（Pd）：320W
　　封装类型：TO-263（D2Pak）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

FQD96N06 MOSFET 具备一系列高性能特性，使其在多种功率应用中表现出色。其主要特性包括：
　　1. **低导通电阻（Rds(on)）**：FQD96N06 的典型导通电阻为 4.5mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该特性对于 DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统尤为重要。
　　2. **高电流承载能力**：该器件的连续漏极电流可达到 96A，适合高功率密度设计，如电源适配器、服务器电源和电池管理系统。
　　3. **高速开关性能**：由于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），FQD96N06 能够实现快速开关操作，从而减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。这使其适用于高频开关电源和同步整流电路。
　　4. **热稳定性好**：采用 TO-263 封装，具有良好的热性能，能够有效散热，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。
　　5. **过热和过流保护**：虽然该器件本身不集成保护电路，但其设计允许在外部电路中加入过热和过流保护机制，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　6. **广泛的适用性**：FQD96N06 适用于多种应用场景，包括但不限于电源转换器、电机驱动器、电池充电器、负载开关和电源管理模块。

FQD96N06 MOSFET 广泛应用于需要高效率、高电流和高速开关的电力电子系统中。具体应用包括：
　　1. **DC-DC 转换器**：由于其低导通电阻和高开关速度，FQD96N06 常用于降压（Buck）和升压（Boost）转换器中，特别是在服务器、通信设备和笔记本电脑电源系统中。
　　2. **电源管理系统**：在电池管理系统（BMS）和不间断电源（UPS）等应用中，FQD96N06 被用作主开关或同步整流器，以提高能量转换效率。
　　3. **电机驱动器**：该器件的高电流承载能力和快速开关特性使其适用于直流电机、步进电机和无刷直流电机的驱动电路中。
　　4. **负载开关和电源开关**：FQD96N06 可用于控制大功率负载的开关，例如 LED 照明、加热元件和风扇控制等。
　　5. **电池充电器**：在高电流电池充电器中，该 MOSFET 可用于控制充电电流和实现高效的功率转换。
　　6. **工业自动化和控制系统**：在工业自动化设备中，FQD96N06 被广泛用于电源分配、继电器替代和功率调节电路中。

SiRA96N06, IPW96N06CD, FDB96N06