存储容量：128GB
　　工艺技术：3D NAND
　　接口类型：ONFI 3.0
　　电压范围：2.5V - 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP
　　读取速度：最高可达500MB/s
　　写入速度：最高可达300MB/s
　　擦除时间：1ms（典型值）
　　耐用性：3000次编程/擦除周期

H9DH8HH4JJMPER-4EM NAND闪存芯片具备多项先进的技术特性，确保其在复杂环境下的稳定性和高效能表现。
　　首先，该芯片采用了3D NAND技术，通过堆叠多个存储层来实现更高的存储密度。这种技术不仅提高了存储容量，还显著增强了芯片的读写速度和耐用性。相比传统的2D NAND，3D NAND在数据保持能力和能耗管理方面表现更优，适用于高性能存储应用。
　　其次，H9DH8HH4JJMPER-4EM支持ONFI 3.0接口标准，提供了高达500MB/s的读取速度和300MB/s的写入速度，满足高速数据传输的需求。这种高速接口设计使其在处理大量数据时表现出色，适用于需要快速响应的系统应用。
　　该芯片的TSOP封装形式具有良好的电气性能和机械稳定性，适合在高振动或高温环境下使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种工业环境下的稳定运行。此外，芯片内置错误校正码（ECC）机制，可有效检测并纠正数据错误，提高数据存储的可靠性。
　　在电源管理方面，H9DH8HH4JJMPER-4EM的工作电压范围为2.5V至3.6V，适应多种电源供应条件。低功耗设计使其在移动设备和嵌入式系统中也能发挥出色的表现，延长设备的电池寿命。
　　最后，该芯片具备高达3000次编程/擦除周期的耐用性，确保长期使用的稳定性。擦除时间仅为1ms（典型值），提高了数据管理的效率。

H9DH8HH4JJMPER-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 固态硬盘（SSD）：由于其高存储容量和高速数据传输能力，该芯片常用于消费级和企业级SSD，提升系统启动速度和数据访问效率。
　　2. 嵌入式系统：在工业控制、医疗设备和智能家电中，H9DH8HH4JJMPER-4EM能够提供可靠的大容量存储，适用于需要长时间运行和高稳定性的环境。
　　3. 移动设备：如智能手机和平板电脑，该芯片的低功耗和小封装特性使其成为理想的存储解决方案，满足移动设备对电池寿命和空间的严格要求。
　　4. 网络设备：在路由器、交换机等网络设备中，该芯片用于存储操作系统和配置数据，确保设备的稳定运行。
　　5. 汽车电子：随着汽车智能化的发展，该芯片被用于车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），提供高效的数据存储和处理能力。

H9DK8HHD8IEMPR-4EM, H9DR8HH2JCUMPR-4EM